參數(shù)資料
型號(hào)： BAV45
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Picoampere diode
中文描述： 0.05 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-18
封裝： METAL CAN-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： BAV45
1996 Mar 13
2
Philips Semiconductors
Product specification
Picoampere diode
BAV45
FEATURES
Extremely low leakage current:
max. 5 pA
Low diode capacitance
Light insensitive.
APPLICATION
Clamping
Holding
Peak follower
Time delay circuits
Logarithmic amplifiers
Protection of insulated gate
field-effect transistors.
DESCRIPTION
Silicon diode in a metal TO-18 can. It has an extremely low leakage current over
a wide temperature range combined with a low capacitance and is not sensitive
to light.
CAUTION
Handle the device with care whilst soldering into the circuit. The extremely
low leakage current can only be guaranteed when the bottom is free from
solder flux or other contaminations.
Fig.1
Simplified outline (SOT18/15; TO-18 except for the two leads)
and symbol.
k
MAM207
a
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
P
tot
T
stg
T
j
repetitive peak reverse voltage
continuous reverse voltage
continuous forward current
repetitive peak forward current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
35
20
50
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
see Fig.2
100
200
+125
125
T
amb
= 25
°
C; note 1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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