型號: | BAV45 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Picoampere diode |
中文描述: | 0.05 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-18 |
封裝: | METAL CAN-2 |
文件頁數(shù): | 4/6頁 |
文件大小: | 38K |
代理商: | BAV45 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BAV5004LP-7B | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 400 HiVolt Switching 2.5pF Diode 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAV5004WS-7 | 功能描述:DIODE GP 350V 300MA SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):350V 電流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.29V @ 200mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 240V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
BAV5005LP-7B | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 300MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):300mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 240V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:0.9pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-UFDFN 供應(yīng)商器件封裝:X1-DFN1006-2 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
BAV70 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Dual,Switching,CC 215mA,75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAV70 /T3 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |