參數(shù)資料
型號(hào)： BC182RL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 133K
代理商： BC182RL1
Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BC182
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
50
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.8
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
357
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
125
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 2.0 mA, IB = 0)
V(BR)CEO
50
—
V
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mA, IE = 0)
V(BR)CBO
60
—
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mA, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
—
V
Collector Cutoff Current
(VCB = 50 V, VBE = 0)
ICBO
—
0.2
15
nA
Emitter–Base Leakage Current
(VEB = 4.0 V, IC = 0)
IEBO
—
15
nA
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 2
190
Publication Order Number:
BC182/D
BC182
BC182A
BC182B
CASE 29–11, STYLE 17
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC489ARLRA 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC490ARL1 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557RLRA 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC857C/T3 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC857B/T4 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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BC183 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
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BC183_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC183_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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