參數(shù)資料
型號(hào): BC182RL1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商: BC182RL1
BC182
http://onsemi.com
192
2.0
1.5
1.0
0.2
0.3
0.4
0.6
0.8
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 1. Normalized DC Current Gain
h FE
,NORMALIZED
DC
CURRENT
GAIN
VCE = 10 V
TA = 25°C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.2
0.1
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 5. “Saturation” and “On” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TA = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
400
20
30
40
60
80
100
200
300
0.5
1.0
0.7
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 6. Current–Gain — Bandwidth Product
f T
,CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
20
40
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitances
VCE = 10 V
TA = 25°C
Cib
Cob
r b
,BASE
SPREADING
RESIST
ANCE
(OHMS)
170
160
150
140
130
120
10
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 8. Base Spreading Resistance
VCE = 10 V
f = 1.0 kHz
TA = 25°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BC183_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC183_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2