參數(shù)資料
型號(hào)： BC849
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN general purpose transistor
中文描述： 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 46K
代理商： BC849
1999 Apr 08
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC849; BC850
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
NPN transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complements: BC859 and BC860.
MARKING
Note
1.
= p : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
(1)
2B
2C
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
(1)
2F
2G
BC849B
BC849C
BC850B
BC850C
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM255
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC849
BC850
collector-emitter voltage
BC849
BC850
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
30
50
V
V
V
CEO
open base
65
65
30
45
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC850 NPN general purpose transistors
BC850 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC850B-2FZ SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC850C-Z2G SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC850 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC849AMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC849AW RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC849AW RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 110A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC849B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:INF NPN transistor,BC849B 0.1A Ic 5Vce
BC849B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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