參數(shù)資料
型號： BC857BT/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： BC857BT/R
2004 Jan 16
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856; BC857; BC858
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB = 30 V; IE = 0
1
15
nA
VCB = 30 V; IE = 0;
Tj = 150 °C
4
μA
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB = 5 V; IC = 0
100
nA
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 5 V
BC856
125
475
BC857
125
800
BC856A; BC857A
125
250
BC856B; BC857B; BC858B
220
475
BC857C
420
800
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
75
300
mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA;
note 1
250
650
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
700
mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA;
note 1
850
mV
VBE
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5 V
600
650
750
mV
IC = 10 mA; VCE = 5 V
820
mV
Cc
collector capacitance
VCB = 10 V; IE = Ie = 0;
f = 1 MHz
4.5
pF
fT
transition frequency
VCE = 5 V; IC = 10 mA;
f = 100 MHz
100
MHz
F
noise figure
IC = 200 μA; VCE = 5 V;
RS = 2 kΩ; f = 1 kHz;
B = 200 Hz
2
10
dB
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BC857BTT1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor
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BC857BUSTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BUSTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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