參數(shù)資料
型號(hào): BC857BT/R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大小: 158K
代理商: BC857BT/R
2004 Jan 16
5
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856; BC857; BC858
handbook, halfpage
0
200
300
400
500
hFE
100
MGT711
102
101
1
10
102
103
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857A; VCE = 5 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
handbook, halfpage
0
1200
1000
800
600
400
200
MGT712
102
101
1
10
102
103
IC (mA)
VBE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857A; VCE = 5 V.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
handbook, halfpage
104
103
102
10
MGT713
101
1
10
102
103
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857A; IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
handbook, halfpage
MGT714
101
1
10
102
103
IC (mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
VBEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857A; IC/IB = 20.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
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PDF描述
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BCP-3.3/15-2.5/15-D24L1 2-OUTPUT 50 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
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參數(shù)描述
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BC857BTT1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor
BC857BTT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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BC857BUSTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2