參數(shù)資料
型號(hào): BC857UF
廠商: AUK Corp
英文描述: PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
中文描述: 進(jìn)步黨硅晶體管(通用應(yīng)用交換應(yīng)用)
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
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代理商: BC857UF
KST-3042-001
1
BC857UF
PNP Silicon Transistor
Descriptions
General purpose application
Switching application
Features
High voltage : VCEO=-45V
Complementary pair with BC847UF
Ordering Information
Type NO.
Marking
Package Code
BC857UF
BV
SOT-323F
: hFE rank
Outline Dimensions
unit : mm
S
Se
em
miic
co
on
nd
du
uc
ctto
or
r
PIN Connections
1. Base
2. Emitter
3. Collector
2.1
±0.1
1.30
±0.1
1
0.
30~0.
40
1.
30
BSC
2
2.
0.
1
0.
11
±0.
05
0.
70-
0.
15
3
0~0.
1
+0.
1
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BC857W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2