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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BD682 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管) |
| 中文描述： | 互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管（互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | BD682 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.12
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CE
= rated V
CBO
V
CE
= rated V
CBO
T
C
= 100
o
C
0.2
2
mA
mA
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE
= half rated V
CEO
0.5
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
2
mA
V
CEO(sus)
I
C
= 50 mA
for
BD677/677A/678/678A
for
BD679/679A/680/680A
for
BD681/682
60
80
100
V
V
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
for
BD677/678/679/680/681/682
I
C
= 1.5 A
I
B
= 30 mA
for
BD677A/678A/679A/680A
I
C
= 2 A
I
B
= 40 mA
for
BD677/678/679/680/681/682
I
C
= 1.5 A
V
CE
= 3 V
for
BD677A/678A/679A/680A
I
C
= 2 A
V
CE
= 3 V
2.5
2.8
V
V
V
BE
Base-Emitter Voltage
2.5
2.5
V
V
h
FE
DC Current Gain
for
BD677/678/679/680/681/682
I
C
= 1.5 A
V
CE
= 3 V
for
BD677A/678A/679A/680A
I
C
= 2 A
V
CE
= 3 V
750
750
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 1.5 A
V
CE
= 3 V
f = 1MHz
1
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingAreas
DeratingCurve
BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682
2/6
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參數(shù)描述 |
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| BD682STU | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682T | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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