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參數(shù)資料
| 型號： | BD682 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 互補硅功率達林頓晶體管（互補硅功率達林頓晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | BD682 |
Base-EmitterOn Voltage(NPN type)
Base-EmitterOn Voltage (PNPtype)
Freewheel Diode Forward Voltage (NPN types)
FreewheelDiode Forward Voltage (PNP types)
BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BD682A | 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS |
| BD682G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682S | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682STU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682T | 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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