參數(shù)資料
型號: BDC01A
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-226AE
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 45V的五(巴西)總裁| 1.5AI(丙)|至226AE
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代理商: BDC01A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDC01B TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-226AE
BDC01C TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-226AE
BDC02A DIODE TVS 30V 400W UNI 5% SMA
BDC02B DIODE TVS 33V 400W BIDIR 5% SMA
BDC02C DIODE TVS 350V 400W BIDIR 5% SMA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDC01B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-226AE
BDC01C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-226AE
BDC01D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon)
BDC01D/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:One Watt Amplifier Transistor
BDC01DRL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.5A 100V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2