參數(shù)資料
型號(hào)： BDX33BBU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/61頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： BDX33BBU
3–217
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.
High DC Current Gain — hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0
Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B
VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C
Low Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B, 34C
Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors
TO–220AB Compact Package
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
80
100
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
80
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
10
15
Adc
Base Current
IB
0.25
Adc
Total Device Dissipation
@ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
70
0.56
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
1.78
_C/W
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
BDX33B
BDX33C
BDX34B
BDX34C
DARLINGTON
10 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
80 – 100 VOLTS
70 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 221A–06
TO–220AB
*
NPN
PNP
REV 7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDX54B Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達(dá)林頓晶體管)
BDX54C Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達(dá)林頓晶體管)
BDX54F Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
BF304-0PB-006B SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm
BF304-0PB-130B SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDX33BG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX33B-S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX33C 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX33C 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX33CG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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