參數(shù)資料
型號： BF1102
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1102<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大小： 370K
代理商： BF1102
2000 Apr 11
6
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
handbook, halfpage
(mA)
0
20
60
0
5
20
15
10
MGS364
40
IG1 (
μ
A)
Fig.7
Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
5
0
1
MGS365
2
3
5
4
ID
(mA)
VGG (V)
Fig.8
Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (= V
GG
); typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
handbook, halfpage
0
10
0
10
20
MGS366
2
4
6
8
ID
(mA)
VGG = VDS (V)
RG1 = 47 k
Ω
68 k
Ω
82 k
Ω
100 k
Ω
120 k
Ω
150 k
Ω
180 k
Ω
220 k
Ω
Fig.9
Drain current as a function of gate 1 (= V
GG
)
and drain supply voltage; typical values.
V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
R
G1
connected to V
GG
; see Fig.20.
handbook, halfpage
(mA)
0
2
6
0
16
MGS367
4
12
8
4
VG2-S (V)
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
VG1-S = 5 V
V
DS
= 5 V; T
j
= 25
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
Fig.10 Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
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PDF描述
BF1102R N-channel dual-gate MOSFET
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BF1105 N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1102_00 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FETs
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BF1102R,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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