參數(shù)資料
型號(hào)： BF1102R
英文描述： Dual N-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： 雙N溝道雙柵MOS - FET的
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
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代理商： BF1102R
2000 Apr 11
7
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
handbook, halfpage
IG1
(
μ
A)
0
20
30
10
0
MGS368
2
6
4
VG2-S (V)
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
VG1-S = 5 V
Fig.11 Gate 1 current as a function of gate 2
voltage; typical values.
V
DS
= 5 V; T
j
= 25
°
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
handbook, halfpage
reduction
(dB)
0
1
2
4
50
10
3VAGC (V)
20
30
40
MCD968
Fig.12 Typical gain reduction as a function of the
AGC voltage; see Fig.20.
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f = 50 MHz; T
amb
= 25
°
C;
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
handbook, halfpage
Vunw
(dB
μ
V)
0
20
60
110
90
80
100
40
MGS369
gain reduction (dB)
Fig.13 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f
w
= 50 MHz; f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
°
C;
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
handbook, halfpage
(mA)
0
50
0
4
8
12
16
10
20
30
40
gain reduction (dB)
MCD969
Fig.14 Drain current as a function of gain
reduction; typical values.
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f = 50 MHz; T
amb
= 25
°
C;
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.20.
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PDF描述
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