參數(shù)資料
型號： BF1102R
英文描述： Dual N-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： 雙N溝道雙柵MOS - FET的
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大小： 120K
代理商： BF1102R
2000 Apr 11
8
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
handbook, halfpage
MGS370
2
10
1
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
yis
(mS)
bis
gis
Fig.15 Inputadmittanceasafunction offrequency;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MCD970
10
f (MHz)
10
2
10
3
3
10
2
10
1
10
3
10
2
10
1
rs
(deg)
rs
yrs
(mS)
yrs
Fig.16 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MGS372
2
fs
(deg)
10
2
1
10
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
|yfs|
(mS)
fs
|yfs|
Fig.17 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
1
1
MCD971
10
10
2
10
3
f (MHz)
yos
(mS)
gos
bos
Fig.18 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C.
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PDF描述
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