參數(shù)資料
型號(hào)： BF1105R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1105R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 8/15頁
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代理商： BF1105R
1997 Dec 02
8
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105; BF1105R; BF1105WR
Fig.16 Gain test circuit.
V
DS
= 5 V, G
S
= 2 mS, G
L
= 0.5 mS, f = 200 MHz.
L1 = 45 nH, 4 turns, internal diameter = 4 mm, 0.8 mm copper wire.
L2 = 160 nH, 3 turns, internal diameter = 8 mm, 0.8 mm copper wire; tapped at approximately half a turn from the cold side, to set G
L
= 0.5 mS.
C1 adjusted for G
S
= 2 mS.
handbook, full pagewidth
BF1105
BF1105R
BF1105WR
MGM255
330 k
Ω
1 nF
47 k
Ω
15
pF
5.5 pF
C1
1 nF
1 nF
1 nF
1 nF
1 nF
1 nF
VAGC
VDS
G1
G2
S
D
330 k
Ω
1 nF
BB405
10 pF
BB405
input
50
Ω
Vtun input
output
50
Ω
Vtun output
L2
L1
2
μ
H
Fig.17 Gain test circuit.
V
DS
= 5 V, G
S
= 3.3 mS, G
L
= 1 mS, f = 800 MHz.
L1 = 2 cm, silvered 0.8 mm copper wire 4 mm above ground plane.
L2 = 2 cm, silvered 0.8 mm copper wire 4 mm above ground plane.
L3 = 11 turns 0.5 mm copper wire without spacing, internal diameter = 3 mm, L = approx. 200 nH.
handbook, full pagewidth
input
50
Ω
output
50
Ω
BF1105
BF1105R
BF1105WR
MGM256
47 k
Ω
0.5 to 3.5 pF
1 nF
L3
L2
L1
1 nF
1 nF
1 nF
VAGC
VDS
G1
G2
S
D
2 to 18 pF
4 to 40 pF
0.5 to 3.5 pF
1 nF
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PDF描述
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