參數(shù)資料
型號： BF1105R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1105R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大?。?/td> 351K
代理商： BF1105R
1997 Dec 02
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105; BF1105R; BF1105WR
handbook, full pagewidth
BF1105
BF1105R
BF1105WR
MGM257
Rgen
50
Ω
50
Ω
R1 =
50
Ω
10 k
Ω
G2
G1
D
S
10 nF
Vi
10 nF
4.7 nF
47
μ
H
4.7 nF
VG2
VDS
Fig.18 Cross-modulation test set-up.
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA
f
(MHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.8
7.5
14.7
21.7
28.8
35.4
41.8
48.1
54.0
59.9
65.5
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
2.1
4.2
8.3
12.1
16.2
20.0
23.7
27.3
30.9
34.4
37.9
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.994
0.991
0.982
0.968
0.956
0.937
0.918
0.897
0.878
0.858
0.840
3.060
3.047
3.004
2.932
2.896
2.815
2.735
2.651
2.575
2.482
2.396
175.4
170.9
162.1
153.4
145.3
137.1
129.2
121.5
114.0
106.5
99.5
0.000
0.002
0.003
0.004
0.006
0.007
0.007
0.008
0.008
0.008
0.008
86.9
86.1
82.7
79.7
77.8
76.7
76.3
76.7
79.7
82.2
88.0
0.985
0.983
0.980
0.976
0.972
0.967
0.961
0.955
0.948
0.941
0.935
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
800
1.5
0.674
39.7
37.15
相關PDF資料
PDF描述
BF1105WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1105R N-channel dual-gate MOSFET
BF1105WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1107 MOSFET N-channel switching transistor
BF1107 MOSFET N-channel switching transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BF1105R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1105WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105WR T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1105WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1105WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*