參數(shù)資料
型號： BF1105WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1105WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BF1105WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大小： 351K
代理商： BF1105WR
1997 Dec 02
7
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105; BF1105R; BF1105WR
Fig.12 Input admittance as a function of frequency;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
yis
(mS)
MGM251
2
10
2
10
10
2
10
3
10
1
1
10
f (MHz)
gis
bis
Fig.13 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGM252
10
2
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
|yrs|
(
μ
S)
rs
(deg)
10
3
1
10
10
2
rs
|yrs|
Fig.14 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGM253
2
fs
(deg)
10
2
1
10
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
|yfs|
(mS)
fs
|yfs|
Fig.15 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGM254
1
10
1
10
2
10
10
2
10
3
f (MHz)
yos
(mS)
bos
gos
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PDF描述
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