參數(shù)資料
型號： BF1105WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1105WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BF1105WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week
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代理商： BF1105WR
1997 Dec 02
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105; BF1105R; BF1105WR
handbook, full pagewidth
BF1105
BF1105R
BF1105WR
MGM257
Rgen
50
Ω
50
Ω
R1 =
50
Ω
10 k
Ω
G2
G1
D
S
10 nF
Vi
10 nF
4.7 nF
47
μ
H
4.7 nF
VG2
VDS
Fig.18 Cross-modulation test set-up.
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA
f
(MHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.8
7.5
14.7
21.7
28.8
35.4
41.8
48.1
54.0
59.9
65.5
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
2.1
4.2
8.3
12.1
16.2
20.0
23.7
27.3
30.9
34.4
37.9
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.994
0.991
0.982
0.968
0.956
0.937
0.918
0.897
0.878
0.858
0.840
3.060
3.047
3.004
2.932
2.896
2.815
2.735
2.651
2.575
2.482
2.396
175.4
170.9
162.1
153.4
145.3
137.1
129.2
121.5
114.0
106.5
99.5
0.000
0.002
0.003
0.004
0.006
0.007
0.007
0.008
0.008
0.008
0.008
86.9
86.1
82.7
79.7
77.8
76.7
76.3
76.7
79.7
82.2
88.0
0.985
0.983
0.980
0.976
0.972
0.967
0.961
0.955
0.948
0.941
0.935
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
800
1.5
0.674
39.7
37.15
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