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參數(shù)資料
| 型號： | BF1109WR |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1109WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,; |
| 文件頁數(shù)： | 8/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | BF1109WR |
1997 Dec 08
8
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
Fig.16 Gain test circuit.
V
DS
= 9 V, G
S
= 2 mS, G
L
= 0.5 mS, f = 200 MHz.
L1 = 45 nH, 4 turns, internal diameter = 4 mm, 0.8 mm copper wire.
L2 = 160 nH, 3 turns, internal diameter = 8 mm, 0.8 mm copper wire; tapped at approximately half a turn from the cold side, to set G
L
= 0.5 mS.
C1 adjusted for G
S
= 2 mS.
handbook, full pagewidth
BF1109
BF1109R
BF1109WR
MDA624
330 k
Ω
1 nF
47 k
Ω
15
pF
5.5 pF
C1
1 nF
1 nF
1 nF
1 nF
1 nF
1 nF
VAGC
VDS
G1
G2
S
D
330 k
Ω
1 nF
BB405
10 pF
BB405
input
50
Ω
Vtun input
output
50
Ω
Vtun output
L2
L1
2
μ
H
Fig.17 Gain test circuit.
V
DS
= 9 V, G
S
= 3.3 mS, G
L
= 1 mS, f = 800 MHz.
L1 = 2 cm, silvered 0.8 mm copper wire 4 mm above ground plane.
L2 = 2 cm, silvered 0.8 mm copper wire 4 mm above ground plane.
L3 = 11 turns 0.5 mm copper wire without spacing, internal diameter = 3 mm, L = approx. 200 nH.
handbook, full pagewidth
input
50
Ω
output
50
Ω
BF1109
BF1109R
BF1109WR
MDA625
47 k
Ω
0.5 to 3.5 pF
1 nF
L3
L2
L1
1 nF
1 nF
1 nF
VAGC
VDS
G1
G2
S
D
2 to 18 pF
4 to 40 pF
0.5 to 3.5 pF
1 nF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1109R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1109WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1118 | Silicon RF switches |
| BF1118 | Silicon RF switches |
| BF1118R | Silicon RF switches |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF1109WR,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF-110BPA/KOEM | 功能描述:FLASHLIGHT HEAVY DUTY W/2D CELLS RoHS:是 類別:工具 >> 閃光燈 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:筆形手電筒 燈類型:LED 燈輸出:- 特點:可變強度 電池大小:AA（需要 1 個） 長度:- 主體材料:- |
| BF1118,215 | 功能描述:RF 開關 IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel |
| BF1118R,215 | 功能描述:RF 開關 IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel |
| BF1118W,115 | 功能描述:RF 開關 IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel |
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