參數資料
型號： BF1109WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數： 9/15頁
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代理商： BF1109WR
1997 Dec 08
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
Fig.18 Cross-modulation test set-up.
handbook, full pagewidth
BF1109
BF1109R
BF1109WR
MDA626
Rgen
50
Ω
50
Ω
R1 =
50
Ω
10 k
Ω
G2
G1
D
S
10 nF
Vi
10 nF
4.7 nF
47
μ
H
4.7 nF
VG2
VDS
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA
f
(MHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.71
7.29
14.3
21.2
27.9
34.4
40.8
46.9
52.9
58.8
64.3
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.8
3.5
7.0
10.5
13.9
17.2
20.5
23.7
26.8
30.0
33.1
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.995
0.992
0.984
0.973
0.961
0.944
0.926
0.906
0.887
0.868
0.852
3.013
3.002
2.967
2.922
2.869
2.793
2.730
2.660
2.605
2.527
2.457
175.0
170.2
160.7
151.3
142.0
132.9
124.1
1115.3
106.5
97.8
89.6
0.000
0.001
0.002
0.002
0.003
0.003
0.003
0.003
0.004
0.004
0.004
88.2
83.7
86.2
83.2
84.1
85.7
88.4
94.6
107.2
114.9
129.7
0.998
0.997
0.995
0.992
0.990
0.987
0.985
0.983
0.981
0.977
0.9377
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
800
1.5
0.684
40.94
40.4
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BF-110BPA/KOEM 功能描述:FLASHLIGHT HEAVY DUTY W/2D CELLS RoHS:是 類別:工具 >> 閃光燈 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:筆形手電筒 燈類型:LED 燈輸出:- 特點:可變強度 電池大小:AA（需要 1 個） 長度:- 主體材料:-
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