參數(shù)資料
型號(hào)： BF904AR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF904AR<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： BF904AR
NXP
Semiconductors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF904A; BF904AR; BF904AWR
Fig.9 Output characteristics; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
8
12
16
4
0
2
10
MLD269
4
6
8
VDS
1.3 V
1.2 V
1.1 V
1.0 V
0.9 V
VG1 S
Fig.10 Gate 1 current as a function of gate 1
voltage; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
100
50
0
0.5
2.5
MLD271
1.0
1.5
2.0
VG1 S
IG1
(
μ
A)
3.5 V
2.5 V
2 V
3 V
VG2 S
Fig.11 Forward transfer admittance as a
function of drain current; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
30
20
10
0
4
8
12
16
20
MLD272
ID
3 V
2.5 V
2 V
VG2 S
3.5 V
Fig.12 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 5 V.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
8
12
4
0
10
50
MLD273
20
30
40
IG1
μ
A)
Rev. 04 - 13 November 2007
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF904AWR N-channel dual-gate MOSFET
BF904AR N-channel dual-gate MOSFET
BF904AWR N-channel dual-gate MOSFET
BF904WR N-channel dual-gate MOSFET
BF904WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
BF904AR,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904AWR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual gate MOS-FETs
BF904AWR T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904AWR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual gate MOS-FETs
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