參數(shù)資料
型號(hào): BF904R
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: N-channel dual-gate MOSFET
封裝: BF904R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF904R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47,
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代理商: BF904R
NXP
Semiconduct
ors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF904; BF904R
Fig.20 Cross-modulation test set-up.
DUT
VAGC
C1
4.7 nF
R1
10 k
MLD171
C4
4.7 nF
L1
450 nH
C3
12 pF
RL
50
VGG
VDS
RGEN
50
VI
R2
50
4.7 nF
C2
RG1
Rev. 06 - 13 November 2007
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BF904R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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