參數(shù)資料
型號(hào)： BF904WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF904WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BF904WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52
文件頁數(shù)： 10/14頁
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代理商： BF904WR
2010 Sep 15
10
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF904WR
Table 1
Scattering parameters: V
DS
=5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.4
8.3
16.4
24.1
32.0
39.3
46.0
52.6
58.8
64.9
70.9
82.4
92.7
102.5
109.8
116.5
124.9
128.7
132.6
142.5
157.5
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.6
3.9
7.8
11.4
15.2
18.7
22.2
25.5
28.9
32.1
35.2
41.7
48.4
54.9
62.9
73.1
81.0
95.8
109.6
119.5
119.9
40
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.989
0.985
0.976
0.958
0.942
0.918
0.899
0.876
0.852
0.823
0.800
0.750
0.719
0.682
0.642
0.602
0.547
0.596
0.682
0.771
0.793
2.420
2.414
2.368
2.301
2.251
2.170
2.080
2.001
1.924
1.829
1.747
1.621
1.535
1.424
1.349
1.283
1.130
1.018
0.979
0.804
0.541
175.7
169.1
158.8
148.5
138.8
129.5
120.7
112.1
103.2
94.7
86.5
70.7
54.6
39.4
22.5
1.1
15.1
49.1
79.4
116.2
153.5
0.000
0.001
0.003
0.004
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.008
0.010
0.013
0.018
0.014
0.040
0.077
0.120
0.149
79.9
78.3
80.3
73.7
70.7
67.2
67.8
68.6
72.9
78.7
88.3
120.5
139.8
137.8
156.8
175.1
172.6
163.9
164.0
178.8
158.3
0.993
0.992
0.987
0.980
0.974
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0.928
0.930
0.924
0.928
0.928
0.887
0.837
0.778
0.629
0.479
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
r
n
(ratio)
(deg)
800
2.00
.686
49.6
50.40
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PDF描述
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BF904WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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