參數(shù)資料
型號： BF909WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BF909WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 180K
代理商： BF909WR
2010 Sep 15
6
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF909WR
Fig.7
Forward transfer admittance as a
function of drain current; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
40
20
0
10
20
30
MLB940
yfs
(mS)
ID
3.5 V
3 V
2.5 V
2 V
VG2 S
Fig.8
Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 5 V.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
20
40
60
0
20
MLB941
15
10
5
IG1
μ
A)
Fig.9
Drain current as a function of gate 1
supply voltage (= V
GG
); typical values;
see Fig.17.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
4
6
12
4
0
8
MLB942
VGG
Fig.10 Drain current as a function of gate 1
(= V
GG
) and drain supply voltage;
typical values; see Fig.17.
V
G2-S
= 4 V.
R
G1
connected to V
GG
; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
20
10
0
2
4
8
MLB943
6
VGG
DS
ID
(mA)
RG1
Ω
68 k
Ω
82 k
Ω
100 k
Ω
120 k
Ω
150 k
Ω
180 k
Ω
220 k
Ω
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF909WR N-channel dual-gate MOSFET
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF909WR T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 280mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909WR115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF926 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
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