參數(shù)資料
型號(hào)： BF909WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BF909WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52
文件頁數(shù)： 9/13頁
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代理商： BF909WR
2010 Sep 15
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF909WR
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
6.4
12.6
25.0
36.5
47.6
57.4
66.6
74.6
82.2
89.3
95.6
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.2
6.4
12.6
18.6
24.2
29.6
34.8
39.8
44.6
49.5
54.6
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.985
0.978
0.957
0.931
0.899
0.868
0.848
0.816
0.792
0.772
0.754
4.064
3.997
3.886
3.682
3.484
3.260
3.053
2.829
2.652
2.470
2.328
172.3
164.9
150.8
137.3
123.8
111.7
101.0
90.3
79.9
69.5
59.5
0.001
0.002
0.005
0.006
0.007
0.007
0.006
0.005
0.005
0.005
0.006
86.9
82.7
74.3
68.9
59.6
57.9
58.5
65.5
83.3
114.9
138.7
0.985
0.982
0.973
0.960
0.947
0.936
0.927
0.919
0.913
0.910
0.909
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
r
n
(ratio)
(deg)
800
2.00
0.603
67.71
0.581
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PDF描述
BF909WR N-channel dual-gate MOSFET
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
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BF909WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 280mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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