參數(shù)資料
型號： BF991
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF991<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： BF991
NXP
Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF991
LIMITING VALUES
In according with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
D(AV)
I
G1-S
I
G2-S
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain current (DC)
average drain current
gate 1-source current
gate 2-source current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
65
20
20
20
±
10
±
10
200
+150
150
V
mA
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
up to T
amb
= 60
°
C; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
200
0
100
MGE792
100
Tamb (
°
C)
Ptot
(mW)
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the Limiting values and the Thermal characteristics
1.
Device mounted on a ceramic substrate of 8
×
10
×
0.7 mm.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
460
K/W
Rev. 03 - 20 November 2007
3 of 7
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PDF描述
BF991 N-channel dual-gate MOSFET
BF992 N-channel dual-gate MOSFET
BF992 N-channel dual-gate MOSFET
BF994S N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF991T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 20MA I(D) | SOT-143
BF992 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-143
BF992,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 N-CH DUAL GATE 20V VHF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF992/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon N-Channel Dual-Gate MOS-FETs
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