參數(shù)資料
型號： BF998
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF998<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BF998<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁數(shù)： 5/15頁
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代理商： BF998
1996 Aug 01
5
NXP Semiconductors
Product specification
Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs
BF998; BF998R
Fig.5 Output characteristics; typical values.
handbook, halfpage
(mA)
0
10
0
8
16
4
12
20
MGE813
2
4
6
8
VDS (V)
0.4 V
0.3 V
0.2 V
0.1 V
0 V
0.5 V
0.4 V
0.3 V
0.2 V
0.1 V
VG1-S =
V
G2-S
= 4 V; T
amb
= 25
C.
Fig.6 Transfer characteristics; typical values.
handbook, halfpage
(mA)
1
1
0
8
16
4
12
20
MGE815
0
3 V
2 V
1 V
0 V
VG2-S = 4 V
VG1 (V)
V
DS
= 8 V; T
amb
= 25
C.
Fig.7
Drain current as a function of gate 1
voltage; typical values.
handbook, halfpage
(mA)
1600
400
800
1200
400
0
8
16
4
12
20
MGE814
0
max
typ
min
VG1 (mV)
V
DS
G2-S
= 4 V; T
amb
= 25
C.
Fig.8
Forward transfer admittance as a function of
drain current; typical values.
handbook, halfpage
(mS)
0
20
0
6
12
18
24
MGE811
16
12
8
4
ID (mA)
0.5 V
4 V
3 V
1 V
2 V
VG2-S = 0 V
V
DS
= 8 V; T
amb
= 25
C.
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