參數(shù)資料
型號(hào)： BF998R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF998R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF998R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47,
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大小： 279K
代理商： BF998R
1996 Aug 01
7
NXP Semiconductors
Product specification
Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs
BF998; BF998R
Fig.13 Input admittance as a function of the
frequency; typical values.
V
DS
= 8 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
C.
10
3
MGC466
10
2
10
10
2
1
10
10
1
yis
(mS)
f (MHz)
bis
gis
Fig.14 Reverse transfer admittance and phase as a
function of frequency; typical values.
V
DS
= 8 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
C.
10
3
MGC467
10
2
10
10
3
10
2
10
1
yrs
(
μ
S)
10
3
10
10
1
2
f (MHz)
rs
yrs
(deg)
rs
Fig.15 Forward transfer admittance and phase as a
function of frequency; typical values.
V
DS
= 8 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
C.
10
3
MGC468
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
yfs
(mS)
yfs
f (MHz)
(deg)
fs
fs
Fig.16 Output admittance as a function of the
frequency; typical values.
V
DS
= 8 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
C.
10
3
MGC469
10
2
10
10
1
10
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
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PDF描述
BF998R N-channel dual-gate MOSFET
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