參數(shù)資料
型號: BFG198
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 振蕩器
英文描述: NPN 8 GHz wideband transistor
封裝: BFG198<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù): 5/14頁
文件大小: 293K
代理商: BFG198
1995 Sep 12
5
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198
Fig.3 Intermodulation distortion and second order intermodulation distortion printed-circuit board.
handbook, full pagewidth
MEA968
75
input
75
output
C7
C8
C6
L6
VCC
VBB
R1
C4
C2
C1
L2
L5
R3
R2
R4
C5
L3
L4
L1
C3
Ω
Ω
handbook, full pagewidth
MEA966
60 mm
80 mm
handbook, full pagewidth
MEA967
80 mm
60 mm
mounting
screws
M 2.5 (8x)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG21W UHF power transistor
BFG21W UHF power transistor
BFG21W UHF power transistor
BFG21W UHF power transistor
BFG31 PNP 5 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG198,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG198115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
BFG198T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223
BFG19S 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor