參數(shù)資料
型號(hào): BFG198
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi): 振蕩器
英文描述: NPN 8 GHz wideband transistor
封裝: BFG198<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù): 6/14頁(yè)
文件大?。?/td> 293K
代理商: BFG198
1995 Sep 12
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
(W)
1.0
0
50
100
200
0.8
0.6
0.2
0
0.4
MBB752
150
Ts
o
Fig.5
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 5 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
120
80
40
40
120
MBB267
80
I C
hFE
Fig.6
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
0.8
0.4
0
4
20
MBB751
8
12
16
VCB
Cre
(pF)
Fig.7
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V; f = 1 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
T
0
40
80
8
6
2
0
4
MBB499
120
IC
(GHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG21W UHF power transistor
BFG21W UHF power transistor
BFG21W UHF power transistor
BFG21W UHF power transistor
BFG31 PNP 5 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG198,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG198115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
BFG198T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223
BFG19S 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor