型號(hào): | BFQ67T |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | NPN 8 GHz wideband transistor |
中文描述: | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, SC-75, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/12頁 |
文件大小: | 92K |
代理商: | BFQ67T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BFQ68 | NPN 4 GHz wideband transistor |
BFQ741 | NPN 7GHz wideband transistor |
BFR101A | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.5MA I(DSS) | SOT-143 |
BFR15A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | TO-72 |
BFR17 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BFQ67T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
BFQ67W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
BFQ67W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 10V 50mA 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFQ67W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFQ67W115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ |