參數(shù)資料
型號(hào)： BFR93AW
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： BFR93AW
BFR93A/BFR93AR/BFR93AW
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
2 (9)
Rev. 3, 20-Jan-99
Document Number 85035
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
12
2
50
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
Electrical DC Characteristics
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector cut-off current
Collector-base cut-off current
Emitter-base cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage I
C
= 1 mA, I
B
= 0
Collector-emitter saturation voltage
DC forward current transfer ratio
Test Conditions
Symbol
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
V
CEsat
h
FE
Min
Typ
Max Unit
100
100
10
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
EB
= 2 V, I
C
= 0
A
nA
A
V
V
12
I
C
= 50 mA, I
B
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 30 mA
0.1
90
0.4
150
40
Electrical AC Characteristics
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Transition frequency
Collector-base capacitance
Collector-emitter capacitance
Emitter-base capacitance
Noise figure
Test Conditions
Symbol
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
Min
Typ
6
0.45
0.2
1.5
1.6
Max
Unit
GHz
pF
pF
pF
dB
V
CE
= 5 V, I
C
= 30 mA, f = 500 MHz
V
CB
= 10 V, f = 1 MHz
V
CE
= 5 V, f = 1 MHz
V
EB
= 0.5 V, f = 1 MHz
V
CE
= 8 V, Z
S
= 50 , f = 800 MHz,
I
C
= 5 mA
V
CE
= 8 V, Z
S
= 50 , f = 800 MHz,
I
C
= 25 mA
V
CE
= 8 V, I
C
= 25 mA, Z
S
= 50 ,
Z
L
= Z
Lopt
, f = 800 MHz
V
CE
= 8 V, I
C
= 25 mA, d
IM
= 60 dB,
f
1
= 806 MHz, f
2
= 810 MHz,
Z
S
= Z
L
= 50
V
CE
= 8 V, I
C
= 25 mA, f = 800 MHz
F
2.1
dB
Power gain
G
pe
14
dB
Linear output voltage – two
tone intermodulation test
V
1
= V
2
260
mV
Third order intercept point
IP
3
31
dBm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR93 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流40mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR96TS Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流100mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR96TS Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR96T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流75mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR96T Silicon NPN Planar RF Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFR93AW T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR93AW,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR93AW,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR93AW 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
BFR93AW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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