參數(shù)資料
型號： BGD906MI
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： CATV amplifier modules
中文描述： 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： SOT-115J, 7 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 73K
代理商： BGD906MI
2000 Mar 28
2
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier modules
BGD906; BGD906MI
FEATURES
Excellent linearity
Extremely low noise
Excellent return loss properties
Silicon nitride passivation
Rugged construction
Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
CATV systems operating in the 40 to 900 MHz
frequency range.
DESCRIPTION
HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperating
with a voltage supply of 24 V (DC).
Both modules are electrically identical, only the pinning is
different.
PINNING - SOT115J
PIN
DESCRIPTION
BGD906
BGD906MI
1
input
common
+V
B
common
output
output
common
+V
B
common
input
2, 3
5
7, 8
9
Fig.1 Simplified outline SOT115J.
handbook, halfpage
789
23
5
1
Side view
MSA319
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
G
p
power gain
f = 50 MHz
f = 900 MHz
V
B
= 24 V; T
mb
= 35
°
C
21.2
22
405
21.8
23
435
dB
dB
mA
I
tot
total current consumption (DC)
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
V
B
V
i
T
stg
T
mb
supply voltage
RF input voltage
storage temperature
operating mounting base temperature
40
20
30
70
+100
+100
V
dBmV
°
C
°
C
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