參數(shù)資料
型號： BLF4G20-110B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor - Application: GSM EDGE and CW ; Description: Basestation LDMOS RF POWER Transistor ; Efficiency: 38.5 %; Frequency: 1930 - 1990 MHz; Load power: 49 (avg) W; Operating voltage: 28 VDC; Power gain: 13.8 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁數(shù)： 14/14頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： BLF4G20-110B
9397 750 14611
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 23 January 2006
9 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G20-110B; BLF4G20S-110B
UHF power LDMOS transistor
9.
Package outline
Fig 11. Package outline SOT502A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT502A
99-12-28
03-01-10
0
5
10 mm
scale
Flanged LDMOST ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT502A
p
L
A
F
b
D
U2
H
Q
c
1
3
2
D1
E
A
C
q
U1
C
B
E1
M
w2
UNIT
A
mm
D
b
12.83
12.57
0.15
0.08
20.02
19.61
9.53
9.25
19.94
18.92
9.91
9.65
4.72
3.43
c
U2
0.25
0.51
27.94
qw2
w1
F
1.14
0.89
U1
34.16
33.91
L
5.33
4.32
p
3.38
3.12
Q
1.70
1.45
EE1
9.50
9.30
inches
0.505
0.495
0.006
0.003
0.788
0.772
D1
19.96
19.66
0.786
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0.375
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0.785
0.745
0.390
0.380
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0.135
0.01
0.02
1.100
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1.335
0.210
0.170
0.133
0.123
0.067
0.057
0.374
0.366
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
w1
AB
M
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PDF描述
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