參數(shù)資料
型號： BLF6G20-180P
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, FM-2
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 49K
代理商： BLF6G20-180P
BLF6G20-180P_1
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Objective data sheet
Rev. 01 — 19 April 2006
2 of 8
Philips Semiconductors
BLF6G20-180P
UHF power LDMOS transistor
2.
Pinning information
[1]
Connected to flange
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2:
Pin
1
2
3
4
5
Pinning
Description
drain1
drain2
gate1
gate2
source
Simplified outline
Symbol
<tbd>
[1]
5
1
2
4
3
Table 3:
Type number
Ordering information
Package
Name
-
Description
flanged balanced LDMOST ceramic package; 2
mounting holes; 4 leads
Version
SOT539A
BLF6G20-180P
Table 4:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DS
drain-source voltage
V
GS
gate-source voltage
I
D
drain current
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
Limiting values
Conditions
Min
-
0.5
-
65
-
Max
65
+13
<tbd>
+150
225
Unit
V
V
A
°
C
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLM31AF700SN1L FERRIT INDUKTIVITAET SMD IMPEDANZ 70OHM
BLM31AJ601SN1L FERRIT INDUKTIVITAET SMD IMPEDANZ 600OHM
BLM41AF151SN1L FERRIT INDUKTIVITAET SMD IMPEDANZ 150OHM
BLM41PF800SN1L FERRIT INDUKTIVITAET SMD IMPEDANZ 80OHM
BLM41PG600SN1L FERRIT INDUKTIVITAET SMD IMPEDANZ 60OHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BLF6G20-180RN 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Power LDMOS transistor
BLF6G20-180RN,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANSISTOR PWR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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