參數(shù)資料
型號(hào)： BLW90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： BLW90
August 1986
2
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW90
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial
transistor suitable for transmitting
applications in class-A, B or C in the
u.h.f. and v.h.f. range for a nominal
supply voltage of 28 V. The transistor
is resistance stabilized and is
guaranteed to withstand infinite
VSWR at rated output power. High
reliability is ensured by a
gold
sandwich metallization.
The transistor is housed in a
1
4
"
capstan envelope with a ceramic cap.
All leads are isolated from the stud.
QUICK REFERENCE DATA
R.F. performance up to T
h
= 25
°
C in an unneutralized common-emitter class-B circuit
MODE OF OPERATION
V
CE
V
f
MHz
P
L
W
G
p
dB
>
11
η
%
c.w.
28
470
4
>
55
PIN CONFIGURATION
Fig.1 Simplified outline. SOT122A.
handbook, halfpage
Top view
MBK187
3
1
2
4
PINNING - SOT122A.
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
PRODUCT SAFETY This device incorporates beryllium oxide, the dust of which is toxic. The device is entirely
safe provided that the BeO disc is not damaged.
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PDF描述
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