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參數(shù)資料
型號： BSO215C
廠商： Infineon Technologies
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 0K
描述： MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
產(chǎn)品變化通告： BSO215C Discontinuation 16/Mar/2004
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
系列： SIPMOS®
FET 型： N 和 P 溝道
FET 特點： 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)： 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 3.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 100 毫歐 @ 3.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）： 2V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 11.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 246pF @ 25V
功率 - 最大： 2W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SO
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： BSO215CINTR
2
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
PACKAGE/ORDERING INFORMATION
Ordering Information(1)
Package
Operating
Package
Lead
Part Number
Type
Range
Marking
Finish
SY10H607JC
J28-1
Commercial
SY10H607JC
Sn-Pb
SY10H607JCTR(2)
J28-1
Commercial
SY10H607JC
Sn-Pb
SY100H607JC
J28-1
Commercial
SY100H607JC
Sn-Pb
SY100H607JCTR(2)
J28-1
Commercial
SY100H607JC
Sn-Pb
SY10H607JZ(3)
J28-1
Commercial
SY10H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY10H607JZTR(2, 3)
J28-1
Commercial
SY10H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY100H607JZ(3)
J28-1
Commercial
SY100H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY100H607JZTR(2, 3)
J28-1
Commercial
SY100H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
Notes:
1. Contact factory for die availability. Dice are guaranteed at T
A = 25°C, DC Electricals only.
2. Tape and Reel.
3. Pb-Free package is recommended for new designs.
28-Pin PLCC (J28-1)
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15
14
13
12
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10 11
26
27
28
1
2
3
4
TOP VIEW
PLCC
25 24 23 22 21 20 19
Q
4
TGND
Q
5
V
CCT
Q
3
V
CCT
MR
Q2
Q1
Q0
CLK
VBB
TGND
CLK
D
1
D
2
D
0
EGND
D
0
D
1
D
2
D5
D4
VCCE
D3
D4
D5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
1M1-DP1-R6/2-2M1GE SWITCH ROCKER DPDT 5A 125V
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參數(shù)描述
BSO220N 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS-R Small-Signal-Transistor
BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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