參數(shù)資料
型號： BSO215C
廠商： Infineon Technologies
文件頁數(shù)： 3/5頁
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描述： MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
產(chǎn)品變化通告： BSO215C Discontinuation 16/Mar/2004
標準包裝： 2,500
系列： SIPMOS®
FET 型： N 和 P 溝道
FET 特點： 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)： 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 3.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 100 毫歐 @ 3.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）： 2V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 11.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 246pF @ 25V
功率 - 最大： 2W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SO
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： BSO215CINTR
3
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
Dn
MR
TCLK/CLK
Qn + 1
LL
Z
L
HL
Z
H
XH
X
L
TRUTH TABLE
Z = Low to High Transition.
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
IEE
PECL Power Supply Current
mA
10H
—
70
85
—
70
85
—
70
85
100H
—
65
80
—
70
85
—
75
95
ICCL
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
ICCH
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
IOS
Output Short Circuit Current
–100
—–225
–100
—–225
–100
—–225
mA
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3830
4160
3870
4190
3930
4280
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3050
3520
3050
3520
3050
3555
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3730
3650
3750
3690
3810
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
100H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3835
4120
3835
4120
3835
4120
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3190
3525
3190
3525
3190
3525
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3740
3620
3740
3620
3740
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
1M1-DP1-R6/2-2M1GE SWITCH ROCKER DPDT 5A 125V
F1200CA06 FILTER POWER ENTRY 6A IEC
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FXO-PC728-200 OSC 200 MHZ 2.5V PECL SMD
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參數(shù)描述
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BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSO220N03MDGXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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