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參數(shù)資料
| 型號： | BSO615N |
| 廠商： | Infineon Technologies |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
| 產品變化通告： | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | SIPMOS® |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫歐 @ 2.6A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 20µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | PG-DSO-8 |
| 包裝： | 剪切帶 (CT) |
| 其它名稱： | BSO615NINCT |
2
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
PACKAGE/ORDERING INFORMATION
Ordering Information(1)
Package
Operating
Package
Lead
Part Number
Type
Range
Marking
Finish
SY10H607JC
J28-1
Commercial
SY10H607JC
Sn-Pb
SY10H607JCTR(2)
J28-1
Commercial
SY10H607JC
Sn-Pb
SY100H607JC
J28-1
Commercial
SY100H607JC
Sn-Pb
SY100H607JCTR(2)
J28-1
Commercial
SY100H607JC
Sn-Pb
SY10H607JZ(3)
J28-1
Commercial
SY10H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY10H607JZTR(2, 3)
J28-1
Commercial
SY10H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY100H607JZ(3)
J28-1
Commercial
SY100H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY100H607JZTR(2, 3)
J28-1
Commercial
SY100H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
Notes:
1. Contact factory for die availability. Dice are guaranteed at T
A = 25°C, DC Electricals only.
2. Tape and Reel.
3. Pb-Free package is recommended for new designs.
28-Pin PLCC (J28-1)
18
17
16
15
14
13
12
56789
10 11
26
27
28
1
2
3
4
TOP VIEW
PLCC
25 24 23 22 21 20 19
Q
4
TGND
Q
5
V
CCT
Q
3
V
CCT
MR
Q2
Q1
Q0
CLK
VBB
TGND
CLK
D
1
D
2
D
0
EGND
D
0
D
1
D
2
D5
D4
VCCE
D3
D4
D5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSO612CV | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC |
| B32653A1822J | FILM CAP 8.2NF 5% 1600V MKP |
| FXO-PC728-250 | OSC 250 MHZ 2.5V PECL SMD |
| 1M1-DP1-R6/1-1M1GE | SWITCH ROCKER DPDT 5A 125V |
| B32652A4684J | FILM CAP 680NF 5% 400V |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSO615N G | 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSO615NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 2.6A Logic SOIC8 |
| BSO615NGHUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin SO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
| BSO615NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 2.6A 8PIN DSO - Cut TR (SOS) |
| BSO615NNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
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