參數(shù)資料
型號(hào)： BSO615N
廠商： Infineon Technologies
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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描述： MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
產(chǎn)品變化通告： Product Discontinuation 22/Feb/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： SIPMOS®
FET 型： 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)： 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)： 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 2.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 150 毫歐 @ 2.6A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： 2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 380pF @ 25V
功率 - 最大： 2W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： PG-DSO-8
包裝： 剪切帶 (CT)
其它名稱： BSO615NINCT
3
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
Dn
MR
TCLK/CLK
Qn + 1
LL
Z
L
HL
Z
H
XH
X
L
TRUTH TABLE
Z = Low to High Transition.
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
IEE
PECL Power Supply Current
mA
10H
—
70
85
—
70
85
—
70
85
100H
—
65
80
—
70
85
—
75
95
ICCL
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
ICCH
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
IOS
Output Short Circuit Current
–100
—–225
–100
—–225
–100
—–225
mA
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3830
4160
3870
4190
3930
4280
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3050
3520
3050
3520
3050
3555
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3730
3650
3750
3690
3810
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
100H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3835
4120
3835
4120
3835
4120
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3190
3525
3190
3525
3190
3525
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3740
3620
3740
3620
3740
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO612CV MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC
B32653A1822J FILM CAP 8.2NF 5% 1600V MKP
FXO-PC728-250 OSC 250 MHZ 2.5V PECL SMD
1M1-DP1-R6/1-1M1GE SWITCH ROCKER DPDT 5A 125V
B32652A4684J FILM CAP 680NF 5% 400V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO615N G 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO615NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 2.6A Logic SOIC8
BSO615NGHUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin SO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
BSO615NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 2.6A 8PIN DSO - Cut TR (SOS)
BSO615NNTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
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