參數(shù)資料
型號： BSP254
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 200 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： BSP254
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP254; BSP254A
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Transistor mounted on printed circuit board, maximum lead length 4 mm,
mounting pad for drain lead minimum 10 mm x 10 mm.
SYMBOL
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
drain current
total power dissipation
storage temperature range
junction temperature
65
250
20
0.2
0.6
1
+
150
150
V
V
A
A
W
°
C
°
C
open drain
DC
peak value
T
amb
= 25
°
C (note 1)
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
R
th j-a
from junction to ambient (note 1)
125
K/W
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
0.8
0.4
0
50
100
200
150
MRC238
Ptot
(W)
Tamb (
°
C)
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PDF描述
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