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參數(shù)資料
| 型號： | BSS82BL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | BSS82BL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS82CL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
| BSS89AMO | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 290MA I(D) | TO-92VAR |
| BSS95 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-202VAR |
| BSS97 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-202VAR |
| BSSERIES | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS82BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS82BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS82C | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon Switching Transistors |
| BSS82C-CM | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
| BSS82CE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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