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參數(shù)資料
| 型號： | BST122 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 250 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | BST122 |
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BST122
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Transistor mounted on a ceramic substrate: area = 2,5 cm
2
; thickness = 0,7 mm.
Drain-source voltage
Gate-source voltage (open drain)
Drain current (DC)
Drain current (peak)
Total power dissipation up to T
amb
= 25
°
C
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
65 to + 150
°
C
max.
60 V
20 V
0.25 A
0.5 A
1 W
150
°
C
From junction to ambient (note 1)
R
th j-a
=
125
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST15 | PNP high-voltage transistor |
| BST16 | PNP high-voltage transistor |
| BST40 | NPN high-voltage transistors |
| BST62_70 | |
| BST62-70 | PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| bst-122-08-s-d-230-ra | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN UNSHRD HDR HDR 44 POS 2.54MM SLDR RA TH - Bulk |
| BST-122-09-G-D-230 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
| BST-122-09-H-D-230 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
| BST-122-09-H-D-318 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
| BST-122-09-L-D-318 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
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