參數(shù)資料
型號(hào)： BST40
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistors
中文描述： 100 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA
封裝： PLASTIC, SC-62, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： BST40
2000 Jul 03
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BST39; BST40
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
High voltage (max. 350 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a SOT89 plastic package.
PNP complements: BST15 and BST16.
MARKING
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BST39
BST40
AT1
AT2
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
collector
base
Fig.1 Simplified outline (SOT89) and symbol.
handbook, halfpage
1
2
3
Bottom view
MAM296
3
2
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT89 in the General Part of associated Handbook”.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BST39
BST40
collector-emitter voltage
BST39
BST40
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
400
300
V
V
V
CEO
open base
65
65
350
250
5
100
200
100
1.3
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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