參數(shù)資料
型號(hào)： BST76
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： BST76
1997 Jun 20
5
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST76A
Fig.6 Output characteristics; typical values.
T
j
= 25
°
C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 4 V.
(4) V
GS
= 3 V.
handbook, halfpage
(A)
0
.
8
0
(1)
(2)
(3)
(4)
10
0
VDS (V)
0
.
2
0
.
4
0
.
6
2
4
6
8
MDA164
Fig.7 Transfer characteristic; typical values.
V
DS
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
.
8
0
10
0
VGS (V)
0
.
2
0
.
4
0
.
6
2
4
6
8
MDA170
Fig.8
Drain current as a function of drain-source
on-state resistance; typical values.
T
j
= 25
°
C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 4 V.
handbook, halfpage
14
4
ID
(mA)
RDSon (
)
6
8
10
12
3
10
2
10
MDA169
(1)
(2)
(3)
Fig.9
Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage; typical values.
V
GSth
at 0.1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
50
1
0.8
0.6
k
0
50
150
100
MDA167
Tj (
o
C)
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