參數(shù)資料
型號(hào)： BST84
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： BST84
April 1995
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BST84
DESCRIPTION
N-channel vertical D-MOS transistor
in SOT89 envelope and designed for
use as line current interrupter in
telephone sets and for application in
relay, high-speed and
line-transformer drivers.
FEATURES
Direct interface to C-MOS, TTL,
etc.
High-speed switching
No second breakdown
QUICK REFERENCE DATA
PINNING - SOT89
Drain-source voltage
Gate-source voltage (open drain)
Drain current (DC)
Total power dissipation up to T
amb
= 25
°
C
Drain-source ON-resistance
I
D
= 250 mA; V
GS
= 10 V
V
DS
±
V
GSO
I
D
P
tot
max.
max.
max.
max.
200 V
20 V
250 mA
1 W
typ.
max.
6
12
R
DS(on)
Transfer admittance
I
D
= 250 mA; V
DS
= 15 V
Y
fs
typ.
250 mS
1 = source
2 = gate
3 = drain
PIN CONFIGURATION
Fig.1 Simplified outline and symbol.
Marking: KN
handbook, 2 columns
s
d
g
MBB076 - 1
handbook, halfpage
1
3
2
Bottom view
MSB013
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BST86 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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BSV17 Small Signal Transistors
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