參數(shù)資料
型號(hào)： BST84
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： BST84
April 1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BST84
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Drain-source breakdown voltage
I
D
= 100
μ
A; V
GS
= 0
Drain-source leakage current
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
Gate threshold voltage
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
V
(BR)DSS
min.
200 V
I
DSS
max.
10
μ
A
I
GSS
max.
100 nA
min.
max.
0.8
2.8
V
V
V
GS(th)
Drain-source ON-resistance
I
D
= 250 mA; V
GS
= 10 V
typ.
max.
6
12
R
DS(on)
Transfer admittance
I
D
= 250 mA; V
DS
= 15 V
Input capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
Y
fs
typ.
250 mS
C
iss
typ.
max.
70
90
pF
pF
Output capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
C
oss
typ.
max.
20
30
pF
pF
Feedback capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
C
rss
typ.
max.
5
10
pF
pF
Switching times (see Figs 2 and 3)
I
D
= 250 mA; V
DD
= 50 V; V
GS
= 0 to 10 V
typ.
max.
4
10
ns
ns
t
on
t
off
typ.
max.
15
25
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BST86 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSV17-16 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-205AD
BSV17 Small Signal Transistors
BSX19 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BSX19 Small Signal Transistors
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參數(shù)描述
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BST86 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BST86T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 300MA I(D) | SOT-89
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