參數(shù)資料
型號(hào)： BT169G
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： BT169G<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BT169G<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BT169G/D
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
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代理商： BT169G
BT169_SER
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 30 September 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BT169 series
Thyristor logic level
6. Characteristics
Table 5.
T
j
= 25
C unless otherwise stated.
Symbol
Parameter
Static characteristics
I
GT
gate trigger current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
D
= 12 V; I
T
= 10 mA;
gate open circuit; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.5 mA;
R
GK
= 1 k
; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.5 mA;
R
GK
= 1 k
; see
Figure 11
I
T
= 1.2 A
I
T
= 10 mA; gate open circuit;
see
Figure 7
V
D
= 12 V
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125
C
V
D
= V
DRM(max)
; V
R
= V
RRM(max)
;
T
j
= 125
C; R
GK
= 1 k
-
50
200
A
I
L
latching current
-
2
6
mA
I
H
holding current
-
2
5
mA
V
T
V
GT
on-state voltage
gate trigger voltage
-
1.25
1.7
V
-
0.2
-
0.5
0.3
0.05
0.8
-
0.1
V
V
mA
I
D
, I
R
off-state leakage
current
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67 % V
DRM(max)
; T
j
= 125
C;
exponential waveform;
see
Figure 12
R
GK
= 1 k
gate open circuit
I
TM
= 2 A; V
D
= V
DRM(max)
;
I
G
= 10 mA; dI
G
/dt = 0.1 A/
s
V
D
= 67 % V
DRM(max)
; T
j
= 125
C;
I
TM
= 1.6 A; V
R
= 35 V;
dI
TM
/dt = 30 A/
s; dV
D
/dt = 2 V/
s;
R
GK
= 1 k
500
-
-
800
25
2
-
-
-
V/
s
V/
s
s
t
gt
gate controlled
turn-on time
circuit commuted
turn-off time
t
q
-
100
-
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT169D-L SCR
BT169G-L SCR
BT169H SCR
BT234-600D 4Q Triac
BT234-600E 4Q Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT169G AMO 功能描述:SCR AMMORA SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT169G,112 功能描述:SCR .8A 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT169G,126 功能描述:SCR AMMORA SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT169G 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 0.8A 600V TO-92
BT169G/DG,126 功能描述:整流器 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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