參數(shù)資料
型號(hào)： BT258S-800LT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR logic level, high temperature
封裝： BT258S-800LT<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<,;
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： BT258S-800LT
BT258S-800LT_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 2 September 2008
7 of 12
NXP Semiconductors
BT258S-800LT
SCR logic level, high temperature
V
o
= 1.0 V
R
s
= 0.04
(1) T
j
= 150
°
C; typical values
(2) T
j
= 150
°
C; maximum values
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values
Fig 9.
On-state current as a function of on-state
voltage
Fig 10. Normalized latching current as a function of
junction temperature
(1) R
GK
= 100
Fig 12. Critical rate of rise of off-state voltage as a
function of junction temperature; typical
values
Fig 11. Normalized holding current as a function of
junction temperature
003aac290
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
V
T
(V)
I
T
(A)
(1)
(2)
(3)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
003aac298
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
003aac299
1
2
3
0
I
H
I
H(25
°
C)
003aac300
T
j
(
°
C)
0
150
100
50
10
2
10
10
3
dV
D
/dt
(V/
μ
s)
1
(1)
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PDF描述
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參數(shù)描述
BT258S-800LT,118 功能描述:SCR Thyristor SCR 800V 82A 3-Pin (2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT258S-800LT118 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT258S-800R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level
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BT258S-800R,118 功能描述:SCR TAPE13 THY-GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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